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HAST和BHAST、UHAST之間有什么區(qū)別

該試驗(yàn)檢查芯片長(zhǎng)期貯存條件下,高溫和時(shí)間對(duì)器件的影響。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的HAST測(cè)試需求,僅針對(duì)非密封封裝(塑料封裝),帶偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測(cè)試。

溫度、濕度、氣壓、測(cè)試時(shí)間

? 通常選擇HAST-96,即:130℃、85%RH、230KPa大氣壓,96hour測(cè)試時(shí)間。

? 測(cè)試過程中,建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數(shù)據(jù)推算芯片結(jié)溫,要保證結(jié)溫不能過 高,并在測(cè)試過程中定期記錄。結(jié)溫推算方法參考《HTOL測(cè)試技術(shù)規(guī)范》。

? 如果殼溫與環(huán)溫差值或者功耗滿足下表三種關(guān)系時(shí),特別是當(dāng)殼溫與環(huán)溫差值超過 10℃時(shí),需考慮周期性的電壓拉偏策略。

? 注意測(cè)試起始時(shí)間是從環(huán)境條件達(dá)到規(guī)定條件后開始計(jì)算;結(jié)束時(shí)間為開始降溫降壓操 作的時(shí)間點(diǎn)。

電壓拉偏

uHAST測(cè)試不帶電壓拉偏, 不需要關(guān)注該節(jié);

bHAST需要帶電壓拉偏 ,遵循以下原則:

(1) 所有電源上電,電壓:最大推薦操作范圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions)

(2) 芯片、材料功耗最?。〝?shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法);

(3) 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內(nèi)拉高。

(4) 其他管腳,如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或者拉低;



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