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硅材料及其制品檢測(cè)

概述

    目前,國(guó)際通用作法是把商品硅分成金屬硅和半導(dǎo)體硅。金屬硅是由石英和焦炭在電熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品,主成分硅元素的含量在98%左右(近年來,含si99.99%的也歸在金屬硅內(nèi)),其余雜質(zhì)為鐵、鋁、鈣等。半導(dǎo)體硅用于制作半導(dǎo)體器件的高純度金屬硅。是以多晶、單晶形態(tài)出售,前者價(jià)廉,后者價(jià)昂。

檢驗(yàn)范圍

    晶體硅,石英玻璃管材、石英加熱管產(chǎn)品,石英電光源產(chǎn)品,石英器件、石英砂和硅微粉,碳化硅,金屬硅,熔融石英,水晶工藝品等10大類45項(xiàng)產(chǎn)品的檢驗(yàn)。

相關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

      gb/t 14849 工業(yè)硅化學(xué)分析方法

      gb/t 2881 工業(yè)硅

      GB/T 24581 低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

      GB/T 6616 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

      GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

      SEMI MF1630 單晶硅Ⅲ-Ⅴ級(jí)雜質(zhì)的低溫FTIR分析測(cè)試方法

      GB/T 1553 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

      SEMI MF 1535-1106 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試硅晶片載流子復(fù)合壽命的方法

      GB/T 1557 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

      GB/T 1558 硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

      GB/T 6624 硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

      GB/T 4061 硅硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

      GB/T 11073 多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法

  &

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