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芯片半導體可靠性測試要求及標準解析

大多數(shù)半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件;我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制,幫助找出根本原因,并幫助 TI 采取措施防止故障模式。

在半導體器件中,常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下,加速測試不改變故障的物理特性,但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。



高加速測試是基于 JEDEC 的資質認證測試的關鍵部分。以下測試反映了基于 JEDEC 規(guī)范 JEP47 的高加速條件。如果產品通過這些測試,則表示器件能用于大多數(shù)使用情況。



溫度循環(huán)

根據(jù) JED22-A104 標準,溫度循環(huán) (TC) 讓部件經受極端高溫和低溫之間的轉換。進行該測試時,將部件反復暴露于這些條件下經過預定的循環(huán)次數(shù)。

高溫工作壽命(HTOL)

HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測試通常根據(jù) JESD22-A108 標準長時間進行。

溫濕度偏壓高加速應力測試(BHAST)

根據(jù) JESD22-A110 標準,THB 和 BHAST 讓器件經受高溫高濕條件,同時處于偏壓之下,其目標是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 條件和測試過程讓可靠性團隊的測試速度比 THB 快得多。

熱壓器/無偏壓HAST

熱壓器和無偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣,它用于加速腐蝕。不過,與這些測試不同,不會對部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS(也稱為“烘烤”或 HTSL)用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL 不同,器件在測試期間不處于運行條件下。

靜電放電(ESD)

靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下,它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產生;一個表面獲得電子,而另一個表面失去電子。其結果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當靜電荷從一個表面移到另一個表面時,它便成為靜電放電 (ESD),并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。

當靜電荷移動時,就形成了電流,因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結。

JEDEC 通過兩種方式測試 ESD:

1.人體放電模型 (HBM)

一種組件級應力,用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。



2.帶電器件模型 (CDM)

一種組件級應力,根據(jù) JEDEC JESD22-C101 規(guī)范,模擬生產設備和過程中的充電和放電事件。




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